LA COMISIÓN EUROPEA,
Visto el Tratado de Funcionamiento de la Unión Europea,
Vista la Directiva 2002/95/CE del Parlamento Europeo y del Consejo, de 27 de enero de 2003, sobre restricciones a la utilización de determinadas sustancias peligrosas en aparatos eléctricos y electrónicos ( 1 ), y, en particular, su artículo 5, apartado 1, letra b),
Considerando lo siguiente:
(1) Según la Directiva 2002/95/CE, la Comisión debe realizar cuantas modificaciones sean necesarias para adaptar al progreso científico y técnico la lista de las aplicaciones exentas de los requisitos dispuestos en el artículo 4, apartado 1, de dicha Directiva.
(2) Todavía no es factible, por motivos técnicos, sustituir el cadmio en diodos fotoemisores (LED) II-VI de conversión de color sin afectar gravemente al rendimiento. Por consiguiente, deben eximirse de la prohibición determinados materiales y componentes que contienen cadmio. No obstante, se están llevando a cabo tareas de investigación sobre la tecnología sin cadmio y debería haber sustitutivos en los próximos cuatro o cinco años, a más tardar.
(3) Procede, por tanto, modificar la Directiva 2002/95/CE en consecuencia.
(4) La Comisión ha consultado a las partes interesadas, con arreglo al artículo 5, apartado 2, de la Directiva 2002/95/CE.
(5) Las medidas previstas en la presente Decisión se ajustan al dictamen del Comité establecido por el artículo 18 de la Directiva 2006/12/CE del Parlamento Europeo y del Consejo ( 2 ).
HA ADOPTADO LA PRESENTE DECISIÓN:
Artículo 1
El anexo de la Directiva 2002/95/CE queda modificado como se establece en el anexo de la presente Decisión.
Artículo 2
Los destinatarios de la presente Decisión serán los Estados miembros.
Hecho en Bruselas, el 25 de febrero de 2010.
Por la Comisión
Janez POTOČNIK
Miembro de la Comisión
______________________
( 1 ) DO L 37 de 13.2.2003, p. 19.
( 2 ) DO L 114 de 27.4.2006, p. 9.
ANEXO
En el anexo de la Directiva 2002/95/CE, se añade el punto 39 siguiente:
«39. El cadmio en diodos fotoemisores (LED) II-VI de conversión de color (< 10 μg de Cd por mm 2 de superficie fotoemisora) que se emplean en sistemas de iluminación o visualización de semiconductores, hasta el 1 de julio de 2014.».
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